X-ray photoemission and Auger electron spectroscopy analysis of fast responding activated metal oxide silicon carbide gas sensors

Lloyd Spetz, AnitaLinköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan (författare)

Platinum-silicon dioxide-silicon carbide, MOSiC, sensors are possible to operate at high temperatures and show a gas sensitivity pattern which is of interest for many applications including exhaust gases from car engines. The introduction of a buffer layer of tantalum silicide between the metal and the silicon dioxide resulted, after an annealing step, in a very good adhesion of the gate contact and fast responding sensors with improved signal stability. Depth profiling using X-ray photoemission and Auger electron spectroscopy showed that the annealing step converts the tantalum silicide to a mixed phase predominantly containing tantalum pentoxide. Tantalum silicide as well as platinum silicide are also present in the metal-oxide interface region.

metal-oxide semiconductor structure; sensors; X-ray photoelectron spectroscopy; Auger electron spectroscopy; silicon carbide
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Schmeisser, D.Technische Universitaet Cottbus, Germany (författare)
Baranzahi, AmirLinköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)amiba25 (författare)
Wälivaara, B.Linköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan (författare)
Göpel, W.Institut für Physikalische und Theoretische Chemie, Tübingen, Germany (författare)
Lundström, IngemarLinköpings universitet,Tillämpad Fysik,Tekniska högskolan(Swepub:liu)inglu57 (författare)
Linköpings universitetTillämpad Fysik (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Lloyd Spetz, Ani ...; Schmeisser, D.; Baranzahi, Amir; Wälivaara, B.; Göpel, W.; Lundström, Ingem ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.