Sökning: WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev)
> (2010-2014) >
Morphology optimiza...
Morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers
-
- Yazdanfar, Milan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Stenberg, Pontus (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Don Booker, Ian (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Gueorguiev Ivanov, Ivan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Pedersen, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Kemi,Tekniska högskolan
-
- Kordina, Olle (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Trans Tech Publications, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2012. - : Trans Tech Publications. ; , s. 251-254
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.4...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Epitaxial growth of about 200 gm thick, low doped 4H-SiC layers grown on n-type 8 degrees off-axis Si-face substrates at growth rates around 100 mu m/h has been done in order to realize thick epitaxial layers with excellent morphology suitable for high power devices. The study was done in a hot wall chemical vapor deposition reactor without rotation. The growth of such thick layers required favorable pre-growth conditions and in-situ etch. The growth of 190 gm thick, low doped epitaxial layers with excellent morphology was possible when the C/Si ratio was below 0.9. A low C/Si ratio and a favorable in-situ etch are shown to be the key parameters to achieve 190 gm thick epitaxial layers with excellent morphology.
Nyckelord
- CVD; Chloride-based; Thick epitaxial layer; Morphology
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)