Sökning: WFRF:(Ivanov Ivan Gueorguiev)
> (2010-2014) >
Process stability a...
Process stability and morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers grown by chloride-based CVD
-
- Yazdanfar, Milan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Stenberg, Pontus (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Don Booker, Ian (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa fler...
-
- Gueorguiev Ivanov, Ivan (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Kordina, Olle (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
- Pedersen, Henrik (författare)
- Linköpings universitet,Kemi,Tekniska högskolan
-
- Janzén, Erik (författare)
- Linköpings universitet,Halvledarmaterial,Tekniska högskolan
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- Elsevier, 2013
- 2013
- Engelska.
-
Ingår i: Journal of Crystal Growth. - : Elsevier. - 0022-0248 .- 1873-5002. ; 380, s. 55-60
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The development of a chemical vapor deposition (CVD) process for very thick silicon carbide (SiC) epitaxial layers suitable for high power devices is demonstrated by epitaxial growth of 200 nm thick, low doped 4H-SiC layers with excellent morphology at growth rates exceeding 100 nm/h. The process development was done in a hot wall CVD reactor without rotation using both SiCl4 and SiH4+HCl precursor approaches to chloride based growth chemistry. A C/Si ratio andlt;1 and an optimized in-situ etch are shown to be the key parameters to achieve 200 nm thick, low doped epitaxial layers with excellent morphology.
Nyckelord
- Crystal morphology
- CVD
- Chloride-based
- SiC
- TECHNOLOGY
- TEKNIKVETENSKAP
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas