Neutralisation of group vi donors by hydrogen in gallium arsenide

Godkänd; 1994; 20090309 (andbra)
The infrared absorption of GaAs:S and GaAs:Te samples partially neutralised by hydrogen show two local modes with very similar frequencies. These modes are comparable to the ones already reported in GaAs:Se. These results are interpreted by assuming that neutralisation takes place by the formation of a bond between a Ga atom first neighbour of the chalcogen and a H atom in an antibonding location. This assumption is strengthened by ab initio calculations that provide also frequencies of the right order of magnitude.

Theys, B.Laboratoire de Physique des Solides, CNRS (författare)
Pajot, B.Department of Physics, University of Exeter (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
Somogyi, K.Research Institute for Technical Physics, P.O. Box 76, Foti ùt. 56, Budapest (författare)
Fille, M.L.LPSES, CNRS, Sophia Antipolis (författare)
Chevallier, J.Laboratoire de Physique des Solides, CNRS (författare)
Groupe de Physique des Solides, Université Denis DiderotLaboratoire de Physique des Solides, CNRS (creator_code:org_t)

Ingår i:Solid State Communications: Elsevier BV91:3, s. 187-1900038-10981879-2766

Av författaren/redakt...: Rahbi, R.; Theys, B.; Pajot, B.; Öberg, Sven; Somogyi, K.; Fille, M.L.; visa fler...; Chevallier, J.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.