Interstitial-carbon hydrogen interaction in silicon

Godkänd; 1996; 20080429 (ysko)
The T-line luminescence system is created in Si by annealing at 400-600 °C. Shifts and splitting of the spectral features with 13C and D isotope substitution identify the presence of two C atoms and one H atom in the center. Uniaxial stress and magnetic field measurements show that the T center has monoclinic I symmetry and possesses an acceptor ( -/0) level at 0.2 eV below the conduction band. Ab initio cluster calculations lead to a structure in which an interstitial C-H defect binds with a substitutional C atom. The calculated vibrational modes are in good agreement with those observed.

Lightowlers, E CKing's College London (författare)
Davies, GordonKing's College London (författare)
Leary, PUniversity of Exeter (författare)
Jones, RUniversity of Exeter (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
King's College LondonUniversity of Exeter (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Safonov, A N; Lightowlers, E C; Davies, Gordon; Leary, P; Jones, R; Öberg, Sven

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.