Intrinsic defects in CdTe and CdZnTe alloys

Validerad; 2009; Bibliografisk uppgift: Proceedings of the 25th International Conference on Defects in Semiconductors; 20090907 (ysko)
The Cd vacancy (VCd) and Te anti-site (TeCd) are two dominant defects in CdTe and CdZnTe alloys grown in Terich conditions. We examine the properties of these two intrinsic defects in Cd1-xZnxTe alloys with x < 0:5 using first-principles calculations. It is shown that Cd vacancies become progressively more favourable with increasing Zn content, in contrast with Te anti-sites, which show the opposite behaviour, explaining the trend towards p-type conductivity in Cd1-xZnxTe.

Tagantsev, A.Swiss Federal Institute of Technology (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
Briddon, P.R.University of Newcastle Upon Tyne (författare)
Setter, N.Swiss Federal Institute of Technology (författare)
Swiss Federal Institute of TechnologyMatematiska vetenskaper (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica. B, Condensed matter: Elsevier BV404:23-24, s. 5019-50210921-45261873-2135

Av författaren/redakt...: Carvalho, A.; Tagantsev, A.; Öberg, Sven; Briddon, P.R.; Setter, N.

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.