Planar interstitial aggregates in Si

Validerad; 2002; 20070219 (kani)
Self-interstitials in silicon aggregate to form rod-like defects aligned along [110] directions and inhabiting either {111} or {113} crystallographic planes. These systems are known to be electrically and optically active. We present the results of first-principles calculations on the structure and energetics for candidate structures contained within the {113}, {111} and {001} planes and compare the results with experiment.

Eberlein, T.A.G.School of Physics, University of Exeter (författare)
Jones, R.School of Physics, University of Exeter (författare)
Pinho, N.School of Physics, University of Exeter (författare)
Blumenau, A.T.Theoretische Physik, Universität Paderborn (författare)
Frauenheim, T.Theoretische Physik, Universität Paderborn (författare)
Briddon, P.R.Department of Physics, University of Newcastle (författare)
Öberg, SvenLuleå tekniska universitet,Matematiska vetenskaper(Swepub:ltu)oberg (författare)
School of Physics, University of ExeterTheoretische Physik, Universität Paderborn (creator_code:org_t)

Ingår i:Journal of Physics: IOP Publishing14:48, s. 12843-128530953-89841361-648X

Av författaren/redakt...: Goss, J.P.; Eberlein, T.A.G.; Jones, R.; Pinho, N.; Blumenau, A.T.; Frauenheim, T.; visa fler...; Briddon, P.R.; Öberg, Sven; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.