Sökning: L773:1938 2014 OR L773:1938 2022 >
Full epitaxial tren...
Full epitaxial trench type buried grid SiC JBS diodes
-
Reshanov, S. A. (författare)
-
Schöner, A. (författare)
-
- Kaplan, W. (författare)
- RISE,Acreo
-
visa fler...
-
Zhang, Andy (författare)
-
- Lim, Jang-Kwon (författare)
- RISE,Acreo
-
- Bakowskib, M. (författare)
- RISE,Acreo
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- The Electrochemical Society, 2014
- 2014
- Engelska.
-
Ingår i: ECS Transactions. - : The Electrochemical Society. - 1938-5862 .- 1938-6737. ; , s. 289-293
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- The paper presents the advanced concept of fully epitaxial SiC junction barrier Schottky (JBS) diodes. It combines trench etching with embedded epitaxial re-growth and enables cost-efficient manufacturing. Fabricated devices are rated for 20A / 1200V and have leakage currents below 0.1μA at 1000V blocking voltage.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Nyckelord
- Gallium nitride
- Leakage currents
- Nitrides
- Schottky barrier diodes
- Silicon
- Blocking voltage
- Cost-efficient
- Fabricated device
- Jbs diodes
- Junction barrier Schottky diodes
- Re-growth
- Trench etching
- Silicon carbide
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas