Sökning: L773:0255 5476 OR L773:1662 9752 OR L773:9783038354789
> (2020-2024) >
Localized Lifetime ...
Localized Lifetime Control of 10 kV 4H-SiC PiN Diodes by MeV Proton Implantation
-
- Yuan, Zimo (författare)
- KTH,Skolan för elektroteknik och datavetenskap (EECS),KTH Royal instute of technology, Sweden
-
- Jacobs, Keijo (författare)
- KTH,Elkraftteknik,KTH Royal instute of technology, Sweden
-
- Bakowski, Mietek (författare)
- RISE,Smart hårdvara,RISE, Sweden
-
visa fler...
-
- Ranstad, Per (författare)
- Linnéuniversitetet,Institutionen för maskinteknik (MT)
-
- Schöner, A. (författare)
- II-VI Kista AB, Sweden
-
- Reshanov, S. (författare)
- II-VI Kista AB, Sweden
-
- Kaplan, W. (författare)
- II-VI Kista AB, Sweden
-
- Nee, Hans-Peter, 1963- (författare)
- KTH,Elkraftteknik,KTH Royal instute of technology, Sweden
-
- Hallén, Anders (författare)
- KTH,Elektronik och inbyggda system,KTH Royal instute of technology, Sweden
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2022-05-31
- 2022
- Engelska.
-
Ingår i: Materials Science Forum. - : Trans Tech Publications Ltd. - 1662-9752. - 9783035727609 ; , s. 442-446
- Relaterad länk:
-
https://doi.org/10.4...
-
visa fler...
-
https://lnu.diva-por... (primary) (Raw object)
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://doi.org/10.4...
-
https://urn.kb.se/re...
-
https://urn.kb.se/re...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this paper, proton implantation with different combinations of MeV energies and doses from 2×109 to 1×1011 cm-2 is used to create defects in the drift region of 10 kV 4H-SiC PiN diodes to obtain a localized drop in the SRH lifetime. On-state and reverse recovery behaviors are measured to observe how MeV proton implantation influences these devices and values of reverse recovery charge Qrr are extracted. These measurements are carried out under different temperatures, showing that the reverse recovery behavior is sensitive to temperature due to the activation of incompletely ionized p-type acceptors. The results also show that increasing proton implantation energies and fluencies can have a strong effect on diodes and cause lower Qrr and switching losses, but also higher on-state voltage drop and forward conduction losses. The trade-off between static and dynamic performance is evaluated using Qrr and forward voltage drop. Higher fluencies, or energies, help to improve the turn-off performance, but at a cost of the static performance. © 2022 The Author(s).
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Materialteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Materials Engineering (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Nyckelord
- Proton Implantation
- Reverse Recovery
- Shockley-Read-Hall (SRH) Lifetime
- Switching Losses
- Maskinteknik
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas
- Av författaren/redakt...
-
Yuan, Zimo
-
Jacobs, Keijo
-
Bakowski, Mietek
-
Ranstad, Per
-
Schöner, A.
-
Reshanov, S.
-
visa fler...
-
Kaplan, W.
-
Nee, Hans-Peter, ...
-
Hallén, Anders
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
-
TEKNIK OCH TEKNO ...
-
och Materialteknik
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
-
och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
-
Materials Scienc ...
- Av lärosätet
-
RISE
-
Kungliga Tekniska Högskolan
-
Linnéuniversitetet