SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Stuart Joshua Michael)
 

Sökning: WFRF:(Stuart Joshua Michael) > (2020-2023) > Influence of trench...

Influence of trenching effect on the characteristics of buried-gate SiC junction field-effect transistors

Koo, SM (författare)
Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden
Lee, Sun Kyun (författare)
Zetterling, CM (författare)
Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden
visa fler...
Ostling, M (författare)
Royal Inst Technol, KTH, Dept Microelect & Informat Technol, SE-16440 Kista, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden
Forsberg, Urban (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
Janzén, Erik (författare)
Linköpings universitet,Tekniska högskolan,Halvledarmaterial
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2002
2002
Engelska.
Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393. ; , s. 1235-1238
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Two different structures of junction field-effect transistors in 4H-SiC, with and without trenching effect in the channel region, have been fabricated and characterized. The devices formed with metal mask show a trenching profile (>similar to0.2 mum) after dry etch in the channel groove region and exhibited static induction transistor (SIT)-like characteristics in the sub-threshold region of I-V curves as the channel thickness decreases. The devices without trenching effect have been processed by using a wet-etched oxide mask resulting in a sloped dry-etch profile (theta=similar to30degrees) in the channel, and consequently showed well-saturated drain characteristics for all the channel thicknesses. The conduction mechanisms in these JFETs are examined by the potential profiles from two dimensional numerical simulations.

Nyckelord

dry etching
JFETs
SiC
trenching effect
TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Koo, SM
Lee, Sun Kyun
Zetterling, CM
Ostling, M
Forsberg, Urban
Janzén, Erik
Artiklar i publikationen
Av lärosätet
Linköpings universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy