SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Guo Xin)
 

Sökning: WFRF:(Guo Xin) > Electronic structur...

Electronic structure of ultrathin Ge layers buried in Si(100)

Nilsson, PO (författare)
Department of Physics, Chalmers University of Technology, Göteborg, Sweden
Mankefors, S (författare)
Department of Informatics and Mathematics, University of Trollhättan/Uddevalla, Trollhättan, Sweden
Guo, J (författare)
Physics Department, Uppsala University, Uppsala, Sweden
visa fler...
Nordgren, J (författare)
Physics Department, Uppsala University, Uppsala, Sweden
Debowska-Nilsson, D (författare)
Institute of Physics, Jagellonian University, Krakow, Poland
Ni, Wei-Xin (författare)
Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
Hansson, Göran (författare)
Linköpings universitet,Yt- och Halvledarfysik,Tekniska högskolan
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2001
2001
Engelska.
Ingår i: Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics. - 1098-0121 .- 1550-235X. ; 64:11
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Ultrathin Ge wetting layers, buried in Si(100), have been investigated by soft x-ray emission spectroscopy. With the assistance of ab initio density functional theory calculations the electronic structure of the layers could be established. In particular Si bulk states, splitted and resonating in the Ge layers, were identified.

Nyckelord

TECHNOLOGY
TEKNIKVETENSKAP

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy