SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Diaz Francesc)
 

Sökning: WFRF:(Diaz Francesc) > Tailoring Wettabili...

Tailoring Wettability Properties of GaN Epitaxial Layers through Surface Porosity Induced during CVD Deposition

Mena, Josué (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik,Física i Cristal·lografia de Materials i Nanomaterials (FiCMA-FiCNA) and EMaS, Departament Química Física i Inorgànica, Universitat Rovira i Virgili (URV), Tarragona, Spain
Carvajal, Joan J. (författare)
Física i Cristal·lografia de Materials i Nanomaterials (FiCMA-FiCNA) and EMaS, Departament Química Física i Inorgànica, Universitat Rovira i Virgili (URV), Tarragona, Spain
Zubialevich, Vitaly (författare)
Tyndall National Institute, Lee Maltings, Cork, Ireland
visa fler...
Parbrook, Peter J. (författare)
Tyndall National Institute, Lee Maltings, Cork, Ireland; School of Engineering, University College Cork, Cork, Ireland
Díaz, Francesc (författare)
Física i Cristal·lografia de Materials i Nanomaterials (FiCMA-FiCNA) and EMaS, Departament Química Física i Inorgànica, Universitat Rovira i Virgili (URV), Tarragona, Spain
Aguiló, Magdalena (författare)
Física i Cristal·lografia de Materials i Nanomaterials (FiCMA-FiCNA) and EMaS, Departament Química Física i Inorgànica, Universitat Rovira i Virgili (URV), Tarragona, Spain
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2021-12-10
2021
Engelska.
Ingår i: Langmuir. - : American Chemical Society (ACS). - 0743-7463 .- 1520-5827. ; 37:50, s. 14622-14627
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Porous GaN epitaxial layers were prepared using single-step chemical vapor deposition (CVD) through the direct reaction of ammonia with gallium. The degree of porosity and pore diameters in the resulting GaN were analyzed by means of SEM and AFM and were found to depend on the GaN deposition time. Furthermore, the evolution of the contact angle of a droplet of water located on the surface of these GaN epitaxial layers with the deposition time was investigated. We observe a transition from the hydrophilic regime to the hydrophobic regime for deposition times longer than 15 min. The observed dependence of GaN hydrophobicity on its degree of porosity is discussed and explained in the framework of the Cassie-Baxter model.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

  • Langmuir (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy