SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Miranda la Hera Vladimir)
 

Sökning: WFRF:(Miranda la Hera Vladimir) > Electronic properti...

Electronic properties of hexagonal v-shaped gallium nitride pits

Miranda la Hera, Vladimir (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik
Mena Gómez, Josué (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik,Departament de Química Física i Inorganica, Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, Spain
Canto-Aguilar, Esdras (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik
visa fler...
Barzegar, Hamid Reza (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik
Carvajal, Joan J. (författare)
Departament de Química Física i Inorganica, Universitat Rovira i Virgili, Tarragona, Spain
Wågberg, Thomas, 1971- (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik
Gracia-Espino, Eduardo (författare)
Umeå universitet,Institutionen för fysik
visa färre...
 (creator_code:org_t)
American Chemical Society (ACS), 2023
2023
Engelska.
Ingår i: The Journal of Physical Chemistry C. - : American Chemical Society (ACS). - 1932-7447 .- 1932-7455. ; 127:51, s. 24658-24665
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • In this work, the morphology, surface composition, and electronic properties of porous GaN films containing hexagonal V-shaped pits were studied. The V-pits are orientated along the [0001] direction of GaN, and we observed a clear relation between the growth time with the surface composition, film thickness, and pit morphology, which in turn had a significant impact on the band gap, valence band maximum, and the work function. The effect on the position of the valence band maximum and work function is explained by the formation of superficial oxygen-rich phases such as Ga2O3 and nonstoichiometric GaNxOy as supported by X-ray photoelectron spectroscopy and density functional theory (DFT). We further show a change in the optical band gap with the thickness of the porous films explained by a change in the tensile strain caused by open-core screw dislocations that gives rise to the formation of V-pits. The correlation between strain and the band gap is supported by DFT calculations. Our study provides insights into the intricate relation between surface states and electronic properties of semiconducting materials and offers directions for designing GaN heterojunctions with specific optical and electronic properties.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy