Compensation in boron-doped CVD diamond

Sökning: L773:1862 6300 > Compensation in bor...

Hall-effect measurements on single crystal boron-doped CVD diamond in the temperature interval 80-450 K are presented together with SIMS measurements of the dopant concentration. Capacitance-voltage measurements on rectifying Schottky junctions manufactured on the boron-doped structures are also presented in this context. Evaluation of the compensating donor (N-D) and acceptor concentrations (N-A) show that in certain samples very low compensation ratios (N-D/N-A below 10(-4)) have been achieved. The influence of compensating donors on majority carrier transport and the significance for diamond device performance are briefly discussed.

Majdi, SamanUppsala universitet,Elektricitetslära(Swepub:uu)samma947 (författare)
Hallen, Anders (författare)
Linnarsson, Margareta (författare)
Schoner, Adolf (författare)
Twitchen, Daniel (författare)
Isberg, JanUppsala universitet,Elektricitetslära(Swepub:uu)jaisb133 (författare)
Uppsala universitetElektricitetslära (creator_code:org_t)

Ingår i:Physica status solidi. A, Applications and Materials Science: Wiley205:9, s. 2190-21941862-6300
Ingår i:physica status solidi (a): Wiley205:9, s. 2190-21941862-6319

Av författaren/redakt...: Gabrysch, Markus; Majdi, Saman; Hallen, Anders; Linnarsson, Marg ...; Schoner, Adolf; Twitchen, Daniel; visa fler...; Isberg, Jan; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.