Sökning: id:"swepub:oai:DiVA.org:uu-208251" >
Novel Zn-Doped Al2O...
-
Chen, S.Fudan Univeristy
(författare)
Novel Zn-Doped Al2O3 Charge Storage Medium for Light-Erasable In-Ga-Zn-O TFT Memory
- Artikel/kapitelEngelska2013
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-208251
-
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-208251URI
-
https://doi.org/10.1109/LED.2013.2266371DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Anmärkningar
-
A novel Zn-doped Al2O3 (ZAO) layer prepared by atomic layer deposition (ALD) is used as the charge storage medium in an In-Ga-Zn-O thin-film-transistor memory. The gate insulating stack of Al2O3/ZAO/Al2O3 is assembled in a single ALD step, and is found to possess a high electron storage capacity due to very deep defect levels. The memory device shows a threshold voltage shift as large as 6.38 V after a +15V/1 ms programming pulse, and quite good charge retention. Once programmed, the memory can be only light erased. The underlying mechanisms are discussed with the assistance of density functional theory calculations.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Cui, X-MFudan University
(författare)
-
Ding, S-JFudan University
(författare)
-
Sun, Q-QFudan University
(författare)
-
Nyberg, TomasUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)tny24390
(författare)
-
Zhang, Shi-LiUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)shizh725
(författare)
-
Zhang, WFudan University
(författare)
-
Fudan UniveristyFudan University
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:IEEE Electron Device Letters34:8, s. 1008-10100741-31061558-0563
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas