Unique UV-Erasable In-Ga-Zn-O TFT Memory With Self-Assembled Pt Nanocrystals

Semiconducting amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) films are integrated with an Al2O3/Pt-nanocrystals/ Al2O3 gate-stack to form UV-erasable thin-film transistor (TFT) memory. The threshold voltage (V-th), sub-threshold swing, I-ON/I-OFF ratio, and effective electron mobility of the fabricated devices are 2.1 V, 0.39 V/decade, similar to 10(6), and 8.4 cm(2)/V.s, respectively. A positive V-th shift of 2.25 V is achieved after 1-ms programming at 10 V-th, whereas a negative V-th shift as large as 3.48 V is attained after 5-s UV erasing. In addition, a 10-year memory window of 2.56 V is extrapolated at room temperature. This high-performance a-IGZO TFT memory is suitable for optical touch-panel applications.

Chen, Sun (författare)
Ding, Shi-Jin (författare)
Sun, Qing-Qing (författare)
Nyberg, TomasUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)tny24390 (författare)
Zhang, Shi-LiUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)shizh725 (författare)
Zhang, Wei (författare)
Uppsala universitetFasta tillståndets elektronik (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Cui, Xing-Mei; Chen, Sun; Ding, Shi-Jin; Sun, Qing-Qing; Nyberg, Tomas; Zhang, Shi-Li; visa fler...; Zhang, Wei; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.