SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Olsson Jörgen 1966 )
 

Sökning: WFRF:(Olsson Jörgen 1966 ) > (1990-1994) > Very High Current G...

Very High Current Gain Enhancement by Substrate Biasing of Lateral Bipolar Transistors on Thin SOI

Edholm, Bengt (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets fysik,Fasta tillståndets elektronik
Olsson, Jörgen, 1966- (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
Söderbärg, Anders (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
 (creator_code:org_t)
Elsevier BV, 1993
1993
Engelska.
Ingår i: Infos. - : Elsevier BV. ; 22:1-4, s. 379-382
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Ämnesord
Stäng  

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
kon (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

  • Infos (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Edholm, Bengt
Olsson, Jörgen, ...
Söderbärg, Ander ...
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
och Annan elektrotek ...
Artiklar i publikationen
Microelectronic ...
Av lärosätet
Uppsala universitet

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy