WFRF:(Sjöblom Gustaf)
Sökning: WFRF:(Sjöblom Gustaf) > Processing and eval...
Processing and evaluation of metal gate/high-k/Si capacitors incorporating Al, Ni, TiN, and Mo as metal gate, and ZrO2 and HfO2 as high-k dielectric
- Abermann, S. (författare)
- Efavi, J. (författare)
-
- Sjöblom, Gustaf (författare)
- Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik
- visa fler...
- Lemme, Max (författare)
- Bertagnolli, E. (författare)
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2006
- 2006
- Engelska.
- Ingår i: Presented at Int. Conf. on Micro- and Nano-Engineering.
- Konferensbidrag (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Ämnesord
Stäng
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- vet (ämneskategori)
- kon (ämneskategori)
Till lärosätets databas
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Abermann, S.
- Efavi, J.
- Sjöblom, Gustaf
- Lemme, Max
- Olsson, Jörgen, ...
- Bertagnolli, E.
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- Artiklar i publikationen
- Presented at Int ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
