Stress domains in Si(111)/a-Si3N4 nanopixel: Ten-million-atom molecular dynamics simulations on parallel computers

Omeltchenko, AUppsala universitet,Neutronforskningslaboratoriet i Studsvik (författare)

Addresses: Omeltchenko A, Louisiana State Univ, Dept Phys & Astron, Concurrent Comp Lab Mat Simulat, Baton Rouge, LA 70803 USA. Louisiana State Univ, Dept Phys & Astron, Concurrent Comp Lab Mat Simulat, Baton Rouge, LA 70803 USA. Louisiana State Univ, Dep
Parallel molecular dynamics simulations are performed to determine atomic-level stresses in Si(111)/Si3N4(0001) and Si(111)/a-Si3N4 nanopixels. Compared to the crystalline case, the stresses in amorphous Si3N4 are highly inhomogeneous in the plane of the

SILICON-NITRIDE; ELECTRONIC-STRUCTURE; BETA-SI3N4; MORPHOLOGY; INTERFACE; BETA-C3N4; STRAIN; FILMS

Bachlechner, ME (författare)
Nakano, A (författare)
Kalia, RK (författare)
Vashishta, P (författare)
Ebbsjo, I (författare)
Madhukar, A (författare)
Messina, P (författare)
Uppsala universitetNeutronforskningslaboratoriet i Studsvik (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Omeltchenko, A; Bachlechner, ME; Nakano, A; Kalia, RK; Vashishta, P; Ebbsjo, I; visa fler...; Madhukar, A; Messina, P; visa färre...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.