SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Kanski J.)
 

Sökning: WFRF:(Kanski J.) > (2000-2004) > Properties of GaMnA...

Properties of GaMnAs layers grown by migration enhanced epitaxy at very low substrate temperatures

Sadowski, J (författare)
Uppsala universitet,Institutionen för materialvetenskap,SOLID STATE PHYSICS
Mathieu, R (författare)
Svedlindh, P (författare)
visa fler...
Karlsteen, M (författare)
Kanski, J (författare)
Ilver, L (författare)
Asklund, H (författare)
Swiatek, K (författare)
Domagala, JZ (författare)
Bak-Misiuk, J (författare)
Maude, D (författare)
visa färre...
 (creator_code:org_t)
ELSEVIER SCIENCE BV, 2001
2001
Engelska.
Ingår i: PHYSICA E. - : ELSEVIER SCIENCE BV. - 1386-9477. ; 10:1-3, s. 181-185
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We report on the successful growth of GaMnAs layers by means of migration enhanced epitaxy (MEE) at very low substrate temperatures (below 150 degreesC). The MEE growth proceeds under stoichiometric conditions. This should lead to a lower concentration of

Nyckelord

ferromagnetic semiconductors; migration enhanced epitaxy; molecular beam epitaxy; DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; FERROMAGNETISM; (GA;MN)AS; GAAS

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

  • PHYSICA E (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy