Sökning: L773:0361 5235 OR L773:1543 186X
> (2000-2004) >
CVD-based tungsten ...
CVD-based tungsten carbide Schottky contacts to 6H-SiC for very high-temperature operation
-
- Lundberg, N (författare)
- Uppsala universitet,Kemiska institutionen,Oorganisk kemi
-
Ostling, M (författare)
-
Zetterling, CM (författare)
-
visa fler...
-
Tagtstrom, P (författare)
-
- Jansson, Ulf (författare)
- Uppsala universitet,Oorganisk kemi,oorganisk kemi
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- 2000
- 2000
- Engelska.
-
Ingår i: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. - 0361-5235. ; 29:3, s. 372-375
- Relaterad länk:
-
https://urn.kb.se/re...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- In this study, tungsten carbide, with its hardness, chemical inertness, thermal stability and low resistivity (25 mu Omega cm)(1) is shown as a reliable contact material to n- and p-type 6H-SiC for very high temperature applications. WC films with thickne
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)
Nyckelord
- Schottky; high temperature; CVD; tungsten carbide; WC; N-TYPE; SILICON-CARBIDE; OHMIC CONTACTS; THIN-FILMS; COBALT; ELECTRONICS; STABILITY
- Inorganic chemistry
- Oorganisk kemi
Publikations- och innehållstyp
- ref (ämneskategori)
- art (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas