CVD-based tungsten carbide Schottky contacts to 6H-SiC for very high-temperature operation

Lundberg, NUppsala universitet,Kemiska institutionen,Oorganisk kemi (författare)

Addresses: Lundberg N, KTH, Royal Inst Technol, Dept Elect, Box Electrum 229, SE-16440 Kista 2, Sweden. KTH, Royal Inst Technol, Dept Elect, SE-16440 Kista 2, Sweden. Uppsala Univ, Angstrom Lab, Dept Inorgan Chem, Box 538, 751 21 Uppsala, Sweden.
In this study, tungsten carbide, with its hardness, chemical inertness, thermal stability and low resistivity (25 mu Omega cm)(1) is shown as a reliable contact material to n- and p-type 6H-SiC for very high temperature applications. WC films with thickne

NATURVETENSKAP Kemi Oorganisk kemi hsv//swe
NATURAL SCIENCES Chemical Sciences Inorganic Chemistry hsv//eng
Schottky; high temperature; CVD; tungsten carbide; WC; N-TYPE; SILICON-CARBIDE; OHMIC CONTACTS; THIN-FILMS; COBALT; ELECTRONICS; STABILITY
Inorganic chemistry
Oorganisk kemi

Ostling, M (författare)
Zetterling, CM (författare)
Tagtstrom, P (författare)
Jansson, UlfUppsala universitet,Oorganisk kemi,oorganisk kemi(Swepub:uu)uja03434 (författare)
Uppsala universitetKemiska institutionen (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Lundberg, N; Ostling, M; Zetterling, CM; Tagtstrom, P; Jansson, Ulf

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.