Atomic layer deposition of amorphous tin-gallium oxide films

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: L773:1520 8559 OR L773:0734 2101 > Atomic layer deposi...

Larsson, FredrikUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik (författare)

Atomic layer deposition of amorphous tin-gallium oxide films

Artikel/kapitelEngelska2019

Förlag, utgivningsår, omfång ...

A V S AMER INST PHYSICS,2019
electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-390540
https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-390540URI
https://doi.org/10.1116/1.5092877DOI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

A wide range of applications benefit from transparent semiconducting oxides with tunable electronic properties, for example, electron transport layers in solar cell devices, where the electron affinity is a key parameter. Presently, a few different ternary oxides are used for this purpose, but the attainable electron affinity range is typically limited. In this study, the authors develop a low-temperature atomic layer deposition (ALD) process to grow amorphous Sn1-xGaxOy thin films from dimethylamino-metal complexes and water. This oxide is predicted to provide a wide selection of possible electron affinity values, from around 3 eV for pure Ga2O3 to 4.5 eV for pure SnO2. The ALD process is evaluated for deposition temperatures in the range of 105-195 degrees C by in situ quartz crystal microbalance and with ex situ film characterization. The growth exhibits an ideal-like behavior at 175 degrees C, where the film composition can be predicted by a simple rule of mixture. Depending on film composition, the growth per cycle varies in the range of 0.6-0.8 angstrom at this temperature. Furthermore, the film composition for a given process appears insensitive to the deposition temperature. From material characterization, it is shown that the deposited films are highly resistive, fully amorphous, and homogeneous, with moderate levels of impurities (carbon, nitrogen, and hydrogen). By tailoring the metal cation ratio in films grown at 175 degrees C, the optical bandgap can be varied in the range from 2.7 eV for SnO2 to above 4.2 eV for Ga2O3. The bandgap also varies significantly as a function of deposition temperature. This control of properties indicates that Sn1-xGaxOy is a promising candidate for an electron transport layer material in a wide electron affinity range. Published by the AVS.

Ämnesord och genrebeteckningar

NATURVETENSKAP Fysik Den kondenserade materiens fysik hsv//swe
NATURAL SCIENCES Physical Sciences Condensed Matter Physics hsv//eng
NATURVETENSKAP Kemi Materialkemi hsv//swe
NATURAL SCIENCES Chemical Sciences Materials Chemistry hsv//eng

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Keller, JanUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)janke498 (författare)
Primetzhofer, DanielUppsala universitet,Tillämpad kärnfysik(Swepub:uu)danpr521 (författare)
Riekehr, LarsUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)larri928 (författare)
Edoff, Marika,1965-Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)maribode (författare)
Törndahl, Tobias,1974-Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik(Swepub:uu)totor079 (författare)
Uppsala universitetFasta tillståndets elektronik (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films: A V S AMER INST PHYSICS37:30734-21011520-8559

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Larsson, Fredrik; Keller, Jan; Primetzhofer, Da ...; Riekehr, Lars; Edoff, Marika, 1 ...; Törndahl, Tobias ...

Om ämnet

NATURVETENSKAP: NATURVETENSKAP; och Fysik; och Den kondenserade ...

NATURVETENSKAP: NATURVETENSKAP; och Kemi; och Materialkemi

Artiklar i publikationen: Journal of Vacuu ...

Av lärosätet: Uppsala universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se