SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Ullaland Kjetil)
 

Sökning: WFRF:(Ullaland Kjetil) > Effects of proton i...

Effects of proton irradiation on 60 GHz CMOS transceiver chip for multi-Gbps communication in high-energy physics experiments

Aziz, Imran (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Mirpur University of Science & Technology (MUST), Pakistan
Dancila, Dragos (författare)
Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Högenergifysik
Dittmeier, Sebastian (författare)
Heidelberg Univ, Heidelberg, Germany
visa fler...
Siligaris, Alexandre (författare)
CEA Leti, Grenoble, France
Dehos, Cedric (författare)
CEA Leti, Grenoble, France
De Lurgio, Patrik Martin (författare)
Argonne Lab, Lemont, IL USA
Djurcic, Zelimir (författare)
Argonne Lab, Lemont, IL USA
Drake, Gary (författare)
Argonne Lab, Lemont, IL USA
Jimenez, Jose Luis Gonzalez (författare)
CEA Leti, Grenoble, France
Gustafsson, Leif (författare)
Uppsala universitet,Högenergifysik
Kim, Don-Won (författare)
Gangneung Wonju Univ, Kangnung, South Korea
Locci, Elizabeth (författare)
CEA DSM IRFU DphP, Paris, France;Paris Saclay Univ, Paris, France
Pfeiffer, Ulrich (författare)
Wuppertal Univ, Wuppertal, Germany
Vazquez, Pedro Rodriquez (författare)
Wuppertal Univ, Wuppertal, Germany
Rohrich, Dieter (författare)
Bergen Univ, Bergen, Norway
Schoening, Andre (författare)
Heidelberg Univ, Heidelberg, Germany
Soltveit, Hans Kristian (författare)
Heidelberg Univ, Heidelberg, Germany
Ullaland, Kjetil (författare)
Bergen Univ, Bergen, Norway
Vincent, Pierre (författare)
CEA Leti, Grenoble, France
Yang, Shiming (författare)
Bergen Univ, Bergen, Norway
Brenner, Richard (författare)
Uppsala universitet,Högenergifysik
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2019-06-12
2019
Engelska.
Ingår i: The Journal of Engineering. - : INST ENGINEERING TECHNOLOGY-IET. - 2051-3305. ; :8, s. 5391-5396
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • This article presents the experimental results of 17 MeV proton irradiation on a 60 GHz low power, half-duplex transceiver (TRX) chip implemented in 65 nm CMOS technology. It supports short range point-to-point data rate up to 6 Gbps by employing on-off keying (OOK). To investigate the irradiation hardness for high-energy physics (HEP) applications, two TRX chips were irradiated with total ionising doses (TID) of 74 and 42 kGy and fluence of 1.4 x 10(14)N(eq)/cm(2) and 0.8 x 10(14)N(eq)/cm(2) for RX and TX modes, respectively. The chips were characterised by pre- and post-irradiation analogue voltage measurements on different circuit blocks as well as through the analysis of wireless transmission parameters like bit error rate (BER), eye diagram, jitter etc. Post-irradiation measurements have shown certain reduction in performance but both TRX chips have been found operational through over the air measurements at 5 Gbps. Moreover, very small shift in the carrier frequency was observed after the irradiation.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

ref (ämneskategori)
art (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy