SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Kang Min Sung)
 

Sökning: WFRF:(Kang Min Sung) > Abnormal Seebeck Ef...

  • Lee, Won-YongUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Chung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea (författare)

Abnormal Seebeck Effect in Vertically Stacked 2D/2D PtSe2/PtSe2 Homostructure

  • Artikel/kapitelEngelska2022

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2022-11-10
  • Wiley-VCH Verlagsgesellschaft,2022
  • electronicrdacarrier

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-502154
  • https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-502154URI
  • https://doi.org/10.1002/advs.202203455DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype
  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype

Anmärkningar

  • De tre första författarna delar förstaförfattarskapet
  • When a thermoelectric (TE) material is deposited with a secondary TE material, the total Seebeck coefficient of the stacked layer is generally represented by a parallel conductor model. Accordingly, when TE material layers of the same thickness are stacked vertically, the total Seebeck coefficient in the transverse direction may change in a single layer. Here, an abnormal Seebeck effect in a stacked two-dimensional (2D) PtSe2/PtSe2 homostructure film, i.e., an extra in-plane Seebeck voltage is produced by wet-transfer stacking at the interface between the PtSe2 layers under a transverse temperature gradient is reported. This abnormal Seebeck effect is referred to as the interfacial Seebeck effect in stacked PtSe2/PtSe2 homostructures. This effect is attributed to the carrier-interface interaction, and has independent characteristics in relation to carrier concentration. It is confirmed that the in-plane Seebeck coefficient increases as the number of stacked PtSe2 layers increase and observed a high Seebeck coefficient exceeding ≈188 µV K−1 at 300 K in a four-layer-stacked PtSe2/PtSe2 homostructure.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Kang, Min-SungChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Choi, Jae WonChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Kim, Si-HooChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Park, No-WonChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Kim, Gil-SungChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Kim, Yun-HoChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Saitoh, EijiUniv Tokyo, Dept Appl Phys, Tokyo 1138656, Japan. (författare)
  • Yoon, Young-GuiChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Lee, Sang-KwonChung Ang Univ, Ctr Berry Curvature Based New Phenomena, Dept Phys, Seoul 06974, South Korea. (författare)
  • Uppsala universitetFasta tillståndets elektronik (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Advanced Science: Wiley-VCH Verlagsgesellschaft9:362198-3844

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy