WFRF:(Qiu Zhijun)
Sökning: WFRF:(Qiu Zhijun) > SB-MOSFETs in UTB-S...
- 17 av 21
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Zhang, ZhenKTH,Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Integrerade komponenter och kretsar (författare)
SB-MOSFETs in UTB-SOI featuring PtSi source/drain with dopant segregation
- Artikel/kapitelEngelska2008
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- 2008
- printrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:DiVA.org:uu-99611
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:uu:diva-99611URI
- https://doi.org/10.1109/LED.2007.911990DOI
- https://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-7953URI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- QC 20100923
- MOSFETs of both polarities with PtSi-based Schottky-barrier source/drain (S/D) have been fabricated in ultrathin-body Si-on-insulator. The PtSi is formed in the S/D regions without lateral silicide growth under the gate spacers. This design leads to a 30-nm underlap between the PtSi-Si contacts and the gate edges resulting in low drive currents. Despite the underlap, excellent performance is achieved for both types of MOSFETs with large drive currents and low leakage by means of dopant segregation through As and B implantation into the PtSi followed by drive-in annealing at low temperatures.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Elektroteknik och elektronik Annan elektroteknik och elektronik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering hsv//eng
- dopant segregation (DS)
- MOSFETs
- platinum silicide
- Schottky-barrier lowering
- Schottky-barrier source/drain (SB-S/D)
- ultrathin-body Si-on-insulator (UTB-SOI)
- Electronics
- Elektronik
- Elektronik
- Electronics
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Qui, Z (författare)
- Hellström, Per-ErikKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wc1lgb (författare)
- Malm, GunnarKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j (författare)
- Olsson, Jörgen,1966-Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,The Ångström Laboratory, Uppsala University(Swepub:uu)jorgolss (författare)
- Lu, JUppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Uppsala University, Ångström Laboratory(Swepub:uu)jlu23482 (författare)
- Östling, MikaelKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1u0kle4 (författare)
- Zhang, S-LKTH,Uppsala universitet,Fasta tillståndets elektronik,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1a28qyq (författare)
- Qiu, ZhijunKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u1wkv8xt (författare)
- Uppsala universitetFasta tillståndets elektronik (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:IEEE Electron Device Letters29:1, s. 125-1270741-31061558-0563
Internetlänk
Hitta via bibliotek
- IEEE Electron Device Letters (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 17 av 21
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Zhang, Zhen
- Qui, Z
- Hellström, Per-E ...
- Malm, Gunnar
- Olsson, Jörgen, ...
- Lu, J
- visa fler...
- Östling, Mikael
- Zhang, S-L
- Qiu, Zhijun
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Elektroteknik oc ...
- och Annan elektrotek ...
- Artiklar i publikationen
- IEEE Electron De ...
- Av lärosätet
- Uppsala universitet
- Kungliga Tekniska Högskolan
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
