SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Johansson Karl Erik)
 

Sökning: WFRF:(Johansson Karl Erik) > (2010-2014) > Extrinsic and Intri...

Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates

Persson, Karl-Magnus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
Berg, Martin (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Borg, Mattias (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
visa fler...
Wu, Jun (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Johansson, Sofia (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
Svensson, Johannes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Jansson, Kristofer (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2013
2013
Engelska.
Ingår i: IEEE Transactions on Electron Devices. - 0018-9383. ; 60:9, s. 2761-2767
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • This paper presents DC and RF characterization as well as modeling of vertical InAs nanowire MOSFETs with LG = 200 nm and Al2O3/HfO2 high-κ dielectric. Measurements at VDS = 0.5 V show that high transconductance (gm = 1.37 mS/μm), high drive current (IDS = 1.34 mA/μm), and low on-resistance (RON = 287 Ωμm) can be realized using vertical InAs nanowires on Si substrates. By measuring the 1/f-noise, the gate area normalized gate voltage noise spectral density, SVG·LG·WG, is determined to be lowered one order of magnitude compared to similar devices with a high-κ film consisting of HfO2 only. Additionally, with a virtual source model we are able to determine the intrinsic transport properties. These devices (LG = 200 nm) show a high injection velocity (vinj = 1.7·107 cm/s) with a performance degradation for array FETs predominantly due to an increase in series resistance.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

MOSFET
RF
InAs
Nanowire (NW)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy