Surface and core contribution to 1/f-noise in InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Persson, Karl-MagnusLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH (författare)

QC 20130902
By measuring 1/f-noise in wrap-gated InAs nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with transport dominating, controllably, in either an inner, core channel, or an outer, surface channel, it is possible to accurately evaluate the material quality related Hooge-parameter, alpha(H), with reduced interference from the surface properties. The devices show low values of alpha(H) similar to 4 x 10(-5). At forward bias, where the data suggest that the 1/f-noise is dominated by the contribution from the high-k interface, devices show low values of normalized noise spectral density. (C) 2013 AIP Publishing LLC.

Malm, B. GunnarKTH,Integrerade komponenter och kretsar(Swepub:kth)u13lag9j (författare)
Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
Institutionen för elektro- och informationsteknikInstitutioner vid LTH (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Persson, Karl-Ma ...; Malm, B. Gunnar; Wernersson, Lars ...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.