Sökning: onr:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:1d8e34bb-491e-4c2f-9339-9441fb283161" >
Temperature and ann...
-
Johansson, SofiaLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
(författare)
Temperature and annealing effects on InAs nanowire MOSFETs
- Artikel/kapitelEngelska2011
Förlag, utgivningsår, omfång ...
-
Elsevier BV,2011
-
electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:1d8e34bb-491e-4c2f-9339-9441fb283161
-
https://lup.lub.lu.se/record/2093948URI
-
https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.128DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
We report on temperature dependence on the drive current as well as long-term effects of annealing in vertical InAs nanowire Field-Effect Transistors. Negatively charged traps in the HfO2 gate dielectric are suggested as one major factor in explaining the effects observed in the transistor characteristics. An energy barrier may be correlated with an un-gated InAs nanowire region covered with HfO2 and the effects of annealing may be explained by changed charging on defects in the oxide. Initial simulations confirm the general effects on the I-V characteristics by including fixed charge. (c) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Gorji, SepidehLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-sig
(författare)
-
Borg, MattiasLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ma3352bo
(författare)
-
Lind, ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-eli
(författare)
-
Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe
(författare)
-
Gogolides, Evangelos
(redaktör/utgivare)
-
Institutionen för elektro- och informationsteknikInstitutioner vid LTH
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Microelectronic Engineering: Elsevier BV88:7, s. 1105-11080167-93171873-5568
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas