Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:267813cd-b96f-4481-b4fa-2b4b87d59d07" >
GaSb nanowire singl...
-
Ganjipour, BahramLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
(författare)
GaSb nanowire single-hole transistor
- Artikel/kapitelEngelska2011
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:267813cd-b96f-4481-b4fa-2b4b87d59d07
-
https://lup.lub.lu.se/record/2344946URI
-
https://doi.org/10.1063/1.3673328DOI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:art swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
We present an experimental study of single hole transistors (SHTs) made from p-type GaSb nanowires. Closely spaced source-drain electrodes are fabricated onto GaSb nanowires to define a SHT within a GaSb nanowire. Room temperature back-gate transfer characteristics show typical hole transport behavior. The fabricated devices are characterized by transport measurements at 1.5 K, where periodic conductance oscillations due to Coulomb blockade are observed and a charging energy of 5 meV is determined. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3673328]
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Nilsson, HenrikLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-hns
(författare)
-
Borg, MattiasLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ma3352bo
(författare)
-
Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe
(författare)
-
Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa
(författare)
-
Xu, HongqiLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-hxu
(författare)
-
Thelander, ClaesLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-cth
(författare)
-
Fasta tillståndets fysikFysiska institutionen
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Applied Physics Letters: AIP Publishing99:260003-69511077-3118
Internetlänk
Hitta via bibliotek
Till lärosätets databas