Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:2d1577a2-29e2-4ef8-acc9-7ddc5486a987" >
850/900/1800/1900MH...
850/900/1800/1900MHz Quad-Band CMOS Medium Power Amplifier
- Artikel/kapitelEngelska2006
Förlag, utgivningsår, omfång ...
Nummerbeteckningar
-
LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:2d1577a2-29e2-4ef8-acc9-7ddc5486a987
-
https://lup.lub.lu.se/record/603149URI
Kompletterande språkuppgifter
-
Språk:engelska
-
Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
Klassifikation
-
Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
-
Ämneskategori:ref swepub-contenttype
Anmärkningar
-
This paper presents a two-stage quad-band CMOS RF power amplifier. The power amplifier is fabricated in a 0.25 mum CMOS process. The measured 1-dB compression point between 800 and 900 MHz is 15 dBm plusmn 0.2 dB with maximum 18% PAE, and between 1800 and 1900MHz is 17.5dBm plusmn 0.7dB with maximum 17% PAE. The measured gains in the two bands are 23.6 dB plusmn 0.7 dB and 13 dB plusmn 2.1 dB, respectively.
Ämnesord och genrebeteckningar
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
-
Sjöland, HenrikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)tde-hsj
(författare)
-
H, Mikkelsen, J
(författare)
-
Larsen, T
(författare)
-
Institutionen för elektro- och informationsteknikInstitutioner vid LTH
(creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
-
Ingår i:Proceedings of European Microwave Week 2006, s. 403-406
Internetlänk