SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Svensson Erik)
 

Sökning: WFRF:(Svensson Erik) > Electrical Characte...

Electrical Characterization and Modeling of Gate-Last Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si

Berg, Martin (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Kilpi, Olli-Pekka (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Persson, Karl-Magnus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
visa fler...
Svensson, Johannes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Hellenbrand, Markus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Nano Electronics,Lund University Research Groups
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2016
2016
Engelska 4 s.
Ingår i: IEEE Electron Device Letters. - 0741-3106. ; 37:8, s. 966-969
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • Vertical InAs nanowire transistors are fabricated on Si using a gate-last method, allowing for lithography-based control of the vertical gate length. The best devices combine good ON- and OFF-performance, exhibiting an ON-current of 0.14 mA/μm, and a sub-threshold swing of 90 mV/dec at 190 nm LG. The device with the highest transconductance shows a peak value of 1.6 mS/μm. From RF measurements, the border trap densities are calculated and compared between devices fabricated using the gate-last and gate-first approaches, demonstrating no significant difference in trap densities. The results thus confirm the usefulness of implementing digital etching in thinning down the channel dimensions.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

vertical
nanowire
InAs
MOSFET
transistor
gate-last
self-aligned

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy