Ambipolar transport in narrow bandgap semiconductor InSb nanowires

↓ Direkt till sidans innehåll
↓ Direkt till sidans sekundära innehåll (sidomenyn)

Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:64528d37-7c3e-4cfb-8b55-ed8f11dc11ee" > Ambipolar transport...

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Dalelkhan, B.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH (författare)

Ambipolar transport in narrow bandgap semiconductor InSb nanowires

Artikel/kapitelEngelska2020

Förlag, utgivningsår, omfång ...

2020
Royal Society of Chemistry (RSC),2020
7 s.

Nummerbeteckningar

LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:64528d37-7c3e-4cfb-8b55-ed8f11dc11ee
https://lup.lub.lu.se/record/64528d37-7c3e-4cfb-8b55-ed8f11dc11eeURI
https://doi.org/10.1039/d0nr00775gDOI

Kompletterande språkuppgifter

Språk:engelska
Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

SwePubSwePub

Klassifikation

Ämneskategori:art swepub-publicationtype
Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

We report on a transport measurement study of top-gated field effect transistors made out of InSb nanowires grown by chemical vapor deposition. The transistors exhibit ambipolar transport characteristics revealed by three distinguished gate-voltage regions: In the middle region where the Fermi level resides within the bandgap, the electrical resistance shows an exponential dependence on temperature and gate voltage. With either more positive or negative gate voltages, the devices enter the electron and hole transport regimes, revealed by the resistance decreasing linearly with decreasing temperature. From the transport measurement data of a 1 μm-long device made from a nanowire of 50 nm in diameter, we extracted a bandgap energy of 190-220 meV. The off-state current of this device is found to be suppressed within the measurement noise at a temperature of T = 4 K. A shorter, 260 nm-long device is found to exhibit a finite off-state current and a circumference-normalized on-state hole current of 11 μA μm-1 at VD = 50 mV which is the highest for such a device to our knowledge. The ambipolar transport characteristics make the InSb nanowires attractive for CMOS electronics, hybrid electron-hole quantum systems and hole based spin qubits.

Ämnesord och genrebeteckningar

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Nanoteknik Nanoteknik hsv//swe
ENGINEERING AND TECHNOLOGY Nano-technology Nano-technology hsv//eng
NATURVETENSKAP Fysik Den kondenserade materiens fysik hsv//swe
NATURAL SCIENCES Physical Sciences Condensed Matter Physics hsv//eng

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

Göransson, D. J.O.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-ddg (författare)
Thelander, C.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-cth (författare)
Li, K.Peking University (författare)
Xing, Y. J.Peking University (författare)
Maisi, V. F.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)vi5402ma (författare)
Xu, H. Q.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Peking University,Beijing Academy of Quantum Information Sciences(Swepub:lu)ftf-hxu (författare)
NanoLund: Centre for NanoscienceAnnan verksamhet, LTH (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

Ingår i:Nanoscale: Royal Society of Chemistry (RSC)12:15, s. 8159-81652040-33642040-3372

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Nanoscale (Sök värdpublikationen i LIBRIS)

Till lärosätets databas

1 av 1
Föregående post
Nästa post
Till träfflistan

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...: Dalelkhan, B.; Göransson, D. J. ...; Thelander, C.; Li, K.; Xing, Y. J.; Maisi, V. F.; visa fler...; Xu, H. Q.; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Nanoteknik; och Nanoteknik

NATURVETENSKAP: NATURVETENSKAP; och Fysik; och Den kondenserade ...

Artiklar i publikationen: Nanoscale

Av lärosätet: Lunds universitet

Sök utanför SwePub

Sök vidare i:: Google; Google Book Search; Google Scholar

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

LIBRIS.kb.se