WFRF:(KANSKI J)
Sökning: WFRF:(KANSKI J) > Photoemission study...
Photoemission study of the valence band offset between low temperature GaAs and (GaMn)As
-
- Adell, M. (författare)
- Chalmers University of Technology,Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
- Adell, J. (författare)
- Chalmers University of Technology,Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory
-
- Ilver, L. (författare)
- Chalmers University of Technology
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- AIP Publishing, 2006
- 2006
- Engelska.
- Ingår i: Applied Physics Letters. - : AIP Publishing. - 0003-6951 .- 1077-3118. ; 89:17
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- Using synchrotron based photoelectron spectroscopy (GaMn) AsGaAs interfaces prepared in situ by low temperature molecular beam epitaxy have been studied. No band offset between the two systems is observed. The continuous transition is explained as an effect of dilution of the (GaMn)As by GaAs adlayers.
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta via bibliotek
- Applied Physics Letters (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Adell, M.
- Adell, J.
- Ilver, L.
- Kanski, J.
- Sadowski, J.
- Artiklar i publikationen
- Applied Physics ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
