SwePub
Tyck till om SwePub Sök här!
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:1361 6528 OR L773:0957 4484
 

Sökning: L773:1361 6528 OR L773:0957 4484 > Wernersson Lars Erik > Ganjipour Bahram > Electrical properti...

  • Ganjipour, BahramLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH (författare)

Electrical properties of GaSb/InAsSb core/shell nanowires

  • Artikel/kapitelEngelska2014

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2014-09-29
  • IOP Publishing,2014

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:81fe1854-e8ef-4e57-915c-712e24c5c448
  • https://lup.lub.lu.se/record/4690742URI
  • https://doi.org/10.1088/0957-4484/25/42/425201DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:art swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • Temperature dependent electronic properties of GaSb/InAsSb core/shell and GaSb nanowires have been studied. Results from two-probe and four-probe measurements are compared to distinguish between extrinsic (contact-related) and intrinsic (nanowire) properties. It is found that a thin (2-3 nm) InAsSb shell allows low barrier charge carrier injection to the GaSb core, and that the presence of the shell also improves intrinsic nanowire mobility and conductance in comparison to bare GaSb nanowires. Maximum intrinsic field effect mobilities of 200 and 42 cm(2) Vs(-1) were extracted for the GaSb/InAsSb core/shell and bare-GaSb NWs at room temperature, respectively. The temperature-dependence of the mobility suggests that ionized impurity scattering is the dominant scattering mechanism in bare GaSb while phonon scattering dominates in core/shell nanowires. Top-gated field effect transistors were fabricated based on radial GaSb/InAsSb heterostructure nanowires with shell thicknesses in the range 5-7 nm. The fabricated devices exhibited ambipolar conduction, where the output current was studied as a function of AC gate voltage and frequency. Frequency doubling was experimentally demonstrated up to 20 kHz. The maximum operating frequency was limited by parasitic capacitance associated with the measurement chip geometry.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Sepehri, Sobhan (författare)
  • Dey, AnilLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)eit-ade (författare)
  • Tizno, OfoghLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-ogt (författare)
  • Borg, B Mattias (författare)
  • Dick Thelander, KimberlyLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-kdi (författare)
  • Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa (författare)
  • Wernersson, Lars-ErikLund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
  • Thelander, ClaesLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-cth (författare)
  • Fasta tillståndets fysikFysiska institutionen (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:Nanotechnology: IOP Publishing25:420957-44841361-6528

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy