Periodically Changing Morphology of the Growth Interface in Si, Ge, and GaP Nanowires

Nanowire growth in the standard < 111 > direction is assumed to occur at a planar catalyst-nanowire interface, but recent reports contradict this picture. Here we show that a nonplanar growth interface is, in fact, a general phenomenon. Both III-V and group IV nanowires show a distinct region at the trijunction with a different orientation whose size oscillates during growth, synchronized with step flow. We develop an explicit model for this structure that agrees well with experiment and shows that the oscillations provide a direct visualization of catalyst supersaturation. We discuss the implications for wire growth and structure.

Tersoff, J. (författare)
Hillerich, KarlaLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-klh (författare)
Reuter, M. C. (författare)
Park, J. H. (författare)
Kodambaka, S. (författare)
Stach, E. A. (författare)
Ross, F. M. (författare)
Fasta tillståndets fysikFysiska institutionen (creator_code:org_t)

Av författaren/redakt...: Wen, C. -Y.; Tersoff, J.; Hillerich, Karla; Reuter, M. C.; Park, J. H.; Kodambaka, S.; visa fler...; Stach, E. A.; Ross, F. M.; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.