SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

L773:1610 1642
 

Sökning: L773:1610 1642 > (2010-2014) > InN quantum dots on...

InN quantum dots on GaN nanowires grown by MOVPE

Bi, Zhaoxia (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
Lindgren, David (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
Johansson, Jonas (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
visa fler...
Ek, Martin (författare)
Lund University,Lunds universitet,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Center for Analysis and Synthesis/nCHREM, Lund University, Box 124, 221 00 Lund, Sweden
Wallenberg, Reine (författare)
Lund University,Lunds universitet,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Center for Analysis and Synthesis/nCHREM, Lund University, Box 124, 221 00 Lund, Sweden
Gustafsson, Anders (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
Borgström, Magnus (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
Ohlsson, Jonas (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,QuNano AB, Ideon Science Park, Scheelevägen 17, 223 70 Lund, Sweden
Monemar, Bo (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
Samuelson, Lars (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Lighting Center, the Nanometer Structure Consortium, Lund University, Box 118, 221 00 Lund, Sweden
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2014-02-17
2014
Engelska.
Ingår i: physica status solidi (c). - : Wiley. - 1862-6351 .- 1610-1642 .- 1610-1634. ; 11, s. 421-424
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • In this work, growth of InN quantum dots (QDs) on GaN nanowires (NWs) by metal-organic vapour phase epitaxy is demonstrated, illustrating the feasibility to combine 0D and 1D structures for nitride semiconductors. Selective area growth was used to generate arrays of c-oriented GaN NWs using Si3N4 as the mask material. In general, InN QDs tend to form at the NW edges between the m-plane side facets, but the QD growth can also be tuned to the side facets by controlling the growth temperature and the growth rate. TEM characterization reveals that I1-type stacking faults are formed in the QDs and originate from the misfit dislocations at the InN/GaN interface. Photoluminescence measurement at 4 K shows that the peak shifts to high energy with reduced dot size. (C) 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Kemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences (hsv//eng)

Nyckelord

quantum dots
nanowires
nitride
MOVPE
quantum dots

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy