SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Pistol Mats Erik)
 

Sökning: WFRF:(Pistol Mats Erik) > (2010-2014) > Unipolar and bipola...

Unipolar and bipolar operation of InAs/InSb nanowire heterostructure field-effect transistors

Nilsson, Henrik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Caroff, Philippe (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Lind, Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
visa fler...
Pistol, Mats-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Thelander, Claes (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Wernersson, Lars-Erik (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Faculty of Engineering, LTH
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2011
2011
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 110:6
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • We present temperature dependent electrical measurements on n-type InAs/InSb nanowire heterostructure field-effect transistors. The barrier height of the heterostructure junction is determined to be 220 meV, indicating a broken bandgap alignment. A clear asymmetry is observed when applying a bias to either the InAs or the InSb side of the junction. Impact ionization and band-to-band tunneling is more pronounced when the large voltage drop occurs in the narrow bandgap InSb segment. For small negative gate-voltages, the InSb segment can be tuned toward p-type conduction, which induces a strong band-to-band tunneling across the heterostructucture junction. (c) 2011 American Institute of Physics. [doi: 10.1063/1.3633742]

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy