id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:9a1f7783-26dd-4f93-9730-67a195f7af7c"
Sökning: id:"swepub:oai:lup.lub.lu.se:9a1f7783-26dd-4f93-9730-67a195f7af7c" > InP nanowire p-type...
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
- Haggren, TuomasAalto University (författare)
InP nanowire p-type doping via Zinc indiffusion
- Artikel/kapitelEngelska2016
Förlag, utgivningsår, omfång ...
- Elsevier BV,2016
- 9 s.
- electronicrdacarrier
Nummerbeteckningar
- LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:9a1f7783-26dd-4f93-9730-67a195f7af7c
- https://lup.lub.lu.se/record/9a1f7783-26dd-4f93-9730-67a195f7af7cURI
- https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.020DOI
Kompletterande språkuppgifter
- Språk:engelska
- Sammanfattning på:engelska
Ingår i deldatabas
- SwePubSwePub
Klassifikation
Anmärkningar
- We report an alternative pathway for p-type InP nanowire (NW) doping by diffusion of Zn species from the gas phase. The diffusion of Zn was performed in a MOVPE reactor at 350–500 °C for 5–20 min with either H2 environment or additional phosphorus in the atmosphere. In addition, Zn3P2 shells were studied as protective caps during post-diffusion annealing. This post-diffusion annealing was performed to outdiffuse and activate Zn in interstitial locations. The characterization methods included photoluminescence and single NW conductivity and carrier concentration measurements. The acquired carrier concentrations were in the order of >1017 cm−3 for NWs without post-annealing, and up to 1018 cm−3 for NWs annealed with the Zn3P2 shells. The diffused Zn caused redshift to the photoluminescence signal, and the degree of redshift depended on the diffusion process.
Ämnesord och genrebeteckningar
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER Nanoteknik Nanoteknik hsv//swe
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY Nano-technology Nano-technology hsv//eng
- NATURVETENSKAP Fysik Den kondenserade materiens fysik hsv//swe
- NATURAL SCIENCES Physical Sciences Condensed Matter Physics hsv//eng
- A1. Annealing
- A1. Diffusion
- A1. Doping
- A3. Metalorganic vapor phase epitaxy
- B2. Semiconducting III–V materials
- B3. Field effect transistors
Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)
- Otnes, GauteLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-goe (författare)
- Mourão, RenatoFederal University of Rio de Janeiro (författare)
- Dagyte, VilgaileLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-vgd (författare)
- Hultin, OlofLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-ohn (författare)
- Lindelöw, FredrikLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-fli (författare)
- Borgström, MagnusLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-mbo (författare)
- Samuelson, LarsLund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-lsa (författare)
- Aalto UniversityFasta tillståndets fysik (creator_code:org_t)
Sammanhörande titlar
- Ingår i:Journal of Crystal Growth: Elsevier BV451, s. 18-260022-0248
Internetlänk
- https://portal.research.lu.se/files/24360504/Preprint_author_manuscript_InP_NW_diffusion_doping_v03.pdfFULLTEXT
- http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.020FULLTEXT
- https://lup.lub.lu.se/search/files/24360504/Preprint_author_manuscript_InP_NW_diffusion_doping_v03.pdf
- https://lup.lub.lu.se/record/9a1f7783-26dd-4f93-9730-67a195f7af7c
- https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.06.020
Hitta via bibliotek
- Journal of Crystal Growth (Sök värdpublikationen i LIBRIS)
Till lärosätets databas
- 1 av 1
- Föregående post
- Nästa post
- Till träfflistan
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Haggren, Tuomas
- Otnes, Gaute
- Mourão, Renato
- Dagyte, Vilgaile
- Hultin, Olof
- Lindelöw, Fredri ...
- visa fler...
- Borgström, Magnu ...
- Samuelson, Lars
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Journal of Cryst ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
