WFRF:(Hjort S.)
Sökning: WFRF:(Hjort S.) > Imaging Atomic Scal...
Imaging Atomic Scale Dynamics on III-V Nanowire Surfaces during Electrical Operation
-
- Webb, J. L. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Synkrotronljusfysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Synchrotron Radiation Research,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Knutsson, J. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Synkrotronljusfysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Synchrotron Radiation Research,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
-
- Hjort, M. (författare)
- Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
- visa fler...
- visa färre...
- (creator_code:org_t)
- 2017-10-06
- 2017
- Engelska.
- Ingår i: Scientific Reports. - : Springer Science and Business Media LLC. - 2045-2322. ; 7:1
- Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract
Ämnesord
Stäng
- As semiconductor electronics keep shrinking, functionality depends on individual atomic scale surface and interface features that may change as voltages are applied. In this work we demonstrate a novel device platform that allows scanning tunneling microscopy (STM) imaging with atomic scale resolution across a device simultaneously with full electrical operation. The platform presents a significant step forward as it allows STM to be performed everywhere on the device surface and high temperature processing in reactive gases of the complete device. We demonstrate the new method through proof of principle measurements on both InAs and GaAs nanowire devices with variable biases up to 4 V. On InAs nanowires we observe a surprising removal of atomic defects and smoothing of the surface morphology under applied bias, in contrast to the expected increase in defects and electromigration-related failure. As we use only standard fabrication and scanning instrumentation our concept is widely applicable and opens up the possibility of fundamental investigations of device surface reliability as well as new electronic functionality based on restructuring during operation.
Ämnesord
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
- ENGINEERING AND TECHNOLOGY -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
- NATURVETENSKAP -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)
Publikations- och innehållstyp
- art (ämneskategori)
- ref (ämneskategori)
Hitta mer i SwePub
- Av författaren/redakt...
- Webb, J. L.
- Knutsson, J.
- Hjort, M.
- McKibbin, S. R.
- Lehmann, S.
- Thelander, C.
- visa fler...
- Dick, K. A.
- Timm, R.
- Mikkelsen, A.
- visa färre...
- Om ämnet
-
- TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
- TEKNIK OCH TEKNO ...
- och Nanoteknik
- och Nanoteknik
-
- NATURVETENSKAP
- NATURVETENSKAP
- och Fysik
- och Den kondenserade ...
- Artiklar i publikationen
- Scientific Repor ...
- Av lärosätet
- Lunds universitet
Sök utanför SwePub
- Sök vidare i:
- Google Book Search
- Google Scholar
Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.
- Copyright © LIBRIS - Nationella bibliotekssystem
- LIBRIS.kb.se
