SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Mårtensson Stefan)
 

Sökning: WFRF:(Mårtensson Stefan) > Semiconductor-to-Me...

Semiconductor-to-Metal Transition and Quasiparticle Renormalization in Doped Graphene Nanoribbons

Senkovskiy, Boris V. (författare)
University of Cologne,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.
Fedorov, Alexander V. (författare)
Saint Petersburg State University,University of Cologne,Leibniz Institute for Solid State and Materials Research,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.;St Petersburg State Univ, Ulyanovskaya Ul 1, St Petersburg 198504, Russia.;IFW Dresden, Helmholtzstr 20, D-01069 Dresden, Germany.
Haberer, Danny (författare)
University of California, Berkeley,Univ Calif Berkeley, 699 Tan Hall, Berkeley, CA 94720 USA.
visa fler...
Farjam, Mani (författare)
Institute for Research in Fundamental Sciences (IPM),Inst Res Fundamental Sci IPM, Sch Nano Sci, POB 19395-5531, Tehran, Iran.
Simonov, Konstantin A. (författare)
Uppsala universitet,Uppsala University,Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Molekyl- och kondenserade materiens fysik,Lund Univ, MAX 4, Box 118, S-22100 Lund, Sweden.
Preobrajenski, Alexei B. (författare)
Lund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory,Lund Univ, MAX 4, Box 118, S-22100 Lund, Sweden.
Mårtensson, Niels, 1949- (författare)
Uppsala universitet,Uppsala University,Molekyl- och kondenserade materiens fysik
Atodiresei, Nicolae (författare)
Jülich Research Centre,Forschungszentrum Julich, Peter Grunberg Inst PGI 1, D-52425 Julich, Germany.;Forschungszentrum Julich, Inst Adv Simulat IAS 1, D-52425 Julich, Germany.;JARA, D-52425 Julich, Germany.
Caciuc, Vasile (författare)
Jülich Research Centre,Forschungszentrum Julich, Peter Grunberg Inst PGI 1, D-52425 Julich, Germany.;Forschungszentrum Julich, Inst Adv Simulat IAS 1, D-52425 Julich, Germany.;JARA, D-52425 Julich, Germany.
Blügel, Stefan (författare)
Jülich Research Centre,Forschungszentrum Julich, Peter Grunberg Inst PGI 1, D-52425 Julich, Germany.;Forschungszentrum Julich, Inst Adv Simulat IAS 1, D-52425 Julich, Germany.;JARA, D-52425 Julich, Germany.
Rosch, Achim (författare)
University of Cologne,Univ Cologne, Inst Theoret Phys, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.
Verbitskiy, Nikolay I. (författare)
University of Cologne,University of Vienna,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.;Univ Vienna, Fac Phys, Strudlhofgasse 4, A-1090 Vienna, Austria.;Moscow MV Lomonosov State Univ, Dept Mat Sci, Leninskiye Gory 1-3, Moscow 119992, Russia.
Hell, Martin (författare)
University of Cologne,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.
Evtushinsky, Daniil V. (författare)
Helmholtz Association of German Research Centers,Helmholtz Zentrum Berlin Mat & Energie Elektronen, Albert Einstein Str 15, D-12489 Berlin, Germany.
German, Raphael (författare)
University of Cologne,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.
Marangoni, Tomas (författare)
University of California, Berkeley,Univ Calif Berkeley, 699 Tan Hall, Berkeley, CA 94720 USA.
van Loosdrecht, Paul H.M. (författare)
University of Cologne
Fischer, Felix R. (författare)
University of California, Berkeley,Univ Calif Berkeley, 699 Tan Hall, Berkeley, CA 94720 USA.
Grüneis, Alexander (författare)
University of Cologne,Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany.
visa färre...
University of Cologne Univ Cologne, Phys Inst 2, Zulpicher Str 77, D-50937 Cologne, Germany (creator_code:org_t)
2017-03-10
2017
Engelska.
Ingår i: Advanced Electronic Materials. - : Wiley. - 2199-160X. ; 3:4
Relaterad länk:
http://dx.doi.org/10...
visa fler...
https://escholarship...
https://lup.lub.lu.s...
https://doi.org/10.1...
https://urn.kb.se/re...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • A semiconductor-to-metal transition in N = 7 armchair graphene nanoribbons causes drastic changes in its electron and phonon system. By using angle-resolved photoemission spectroscopy of lithium-doped graphene nanoribbons, a quasiparticle band gap renormalization from 2.4 to 2.1 eV is observed. Reaching high doping levels (0.05 electrons per atom), it is found that the effective mass of the conduction band carriers increases to a value equal to the free electron mass. This giant increase in the effective mass by doping is a means to enhance the density of states at the Fermi level which can have palpable impact on the transport and optical properties. Electron doping also reduces the Raman intensity by one order of magnitude, and results in relatively small (4 cm−1) hardening of the G phonon and softening of the D phonon. This suggests the importance of both lattice expansion and dynamic effects. The present work highlights that doping of a semiconducting 1D system is strikingly different from its 2D or 3D counterparts and introduces doped graphene nanoribbons as a new tunable quantum material with high potential for basic research and applications.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Nanoteknik -- Nanoteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Nano-technology -- Nano-technology (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering (hsv//eng)

Nyckelord

ARPES
charge transfer doping
graphene
graphene nanoribbons
Raman

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy