SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Ramvall P.)
 

Sökning: WFRF:(Ramvall P.) > Core-shell tfet dev...

  • Passlack, M.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium (författare)

Core-shell tfet developments and tfet limitations

  • Artikel/kapitelEngelska2019

Förlag, utgivningsår, omfång ...

  • 2019

Nummerbeteckningar

  • LIBRIS-ID:oai:lup.lub.lu.se:d1c4b8e6-152d-4c2f-a756-e91a5e574fe1
  • https://lup.lub.lu.se/record/d1c4b8e6-152d-4c2f-a756-e91a5e574fe1URI
  • https://doi.org/10.1109/VLSI-TSA.2019.8804674DOI

Kompletterande språkuppgifter

  • Språk:engelska
  • Sammanfattning på:engelska

Ingår i deldatabas

Klassifikation

  • Ämneskategori:kon swepub-publicationtype
  • Ämneskategori:ref swepub-contenttype

Anmärkningar

  • Tunneling field-effect transistors (TFET) based on a vertical gate-All-Around (VGAA) nanowire (NW) architecture with a core-shell (CS) structure have been explored for future CMOS applications. Performance predictions based on a tight-binding mode-space NEGF technique include a drive current \mathrm{I}-{\mathrm{o}\mathrm{n}} of 6.7\ \mu \mathrm{A} (NW diameter \mathrm{d}= 10.2\ \mathrm{nm}) at \mathrm{V}-{\mathrm{dd}}=0.3\ \mathrm{V} under low power (LP) conditions (\mathrm{I}-{\mathrm{off}}=1 \mathrm{pA}) for an InAs/GaSb CS TFET. This compares to Si nMOSFET \mathrm{I}-{\mathrm{on}} =2.3\ \mu \mathrm{A} at \mathrm{V}-{\mathrm{dd}}=0.55\ \mathrm{V}(\mathrm{d}=6\ \mathrm{nm}). On the experimental side, scaling of vertical CS NWs resulted in smallest dimensions of \mathrm{d}-{\mathrm{c}}= 17 nm (GaSb core) and \mathrm{t}-{\mathrm{sh}}=3 nm (InAs shell) for a total diameter of 23 nm. VGAA CS nFETs demonstrated drive current of up to 40\ \mu \mathrm{A} (\mathrm{V}-{\mathrm{d}}=0.3\ \mathrm{V}) and subthreshold swing \mathrm{SS}=40\mathrm{mV}/\mathrm{dec}(\mathrm{V}-{\mathrm{d}}=10\mathrm{mV}) for NW diameters between 35-50 nm. Although key TFET properties such as current drive and subthermal SS have been demonstrated using a VGAA CS architecture for the first time, experimental results still lag predictions. An intrinsic relationship between band-To band-Tunneling (BTBT) and \mathrm{D}-{\mathrm{it}} related trap assisted tunneling (TAT) was found which imposes challenging \mathrm{D}-{\mathrm{it}} requirements, in particular for LP \mathrm{I}-{\mathrm{off}} specifications. Complexity of fabrication and a material system foreign to CMOS manufacturing further impact prospects of TFET technology.

Ämnesord och genrebeteckningar

Biuppslag (personer, institutioner, konferenser, titlar ...)

  • Ramvall, P.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium(Swepub:lu)ftf-per (författare)
  • Vasen, T.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium (författare)
  • Afzalian, A.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium (författare)
  • Thelander, C.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-cth (författare)
  • Dick, K. A.Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH(Swepub:lu)ftf-kdi (författare)
  • Wernersson, L. E.Lund University,Lunds universitet,Nanoelektronik,Forskargrupper vid Lunds universitet,Nano Electronics,Lund University Research Groups(Swepub:lu)ftf-lwe (författare)
  • Doornbos, G.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium (författare)
  • Holland, M.Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, Belgium (författare)
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, BelgiumNanoLund: Centre for Nanoscience (creator_code:org_t)

Sammanhörande titlar

  • Ingår i:2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application, VLSI-TSA 20199781728109428

Internetlänk

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy