Nitrogen-Doped Graphene: Efficient Growth, Structure, and Electronic Properties

A novel strategy for efficient growth of nitrogen-doped graphene (N-graphene) on a large scale from s-triazine molecules is presented. The growth process has been unveiled in situ using time-dependent photoemission. It has been established that a postannealing of N-graphene after gold intercalation causes a conversion of the N environment from pyridinic to graphitic, allowing to obtain more than 8096 of all embedded nitrogen in graphitic form, which is essential for the electron doping in graphene. A band gap, a doping level of 300 meV, and a charge-carrier concentration of similar to 8 x 10(12) electrons per cm 2, induced by 0.4 atom % of graphitic nitrogen, have been detected by angle-resolved photoeinission spectroscopy, which offers great promise for implementation of this system in next generation electronic devices.

Vilkov, O. (författare)
Grueneis, A. (författare)
Haberer, D. (författare)
Fedorov, A. (författare)
Adamchuk, V. K. (författare)
Preobrajenski, AlexeiLund University,Lunds universitet,MAX IV-laboratoriet,MAX IV Laboratory(Swepub:lu)maxl-apr (författare)
Dudin, P. (författare)
Barinov, A. (författare)
Oehzelt, M. (författare)
Laubschat, C. (författare)
Vyalikh, D. V. (författare)
Lunds universitetMAX IV-laboratoriet (creator_code:org_t)

Ingår i:Nano Letters: American Chemical Society (ACS)11:12, s. 5401-54071530-69921530-6984

Av författaren/redakt...: Usachov, D.; Vilkov, O.; Grueneis, A.; Haberer, D.; Fedorov, A.; Adamchuk, V. K.; visa fler...; Preobrajenski, A ...; Dudin, P.; Barinov, A.; Oehzelt, M.; Laubschat, C.; Vyalikh, D. V.; visa färre...

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Nanoteknik; och Nanoteknik

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.