SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Duriez P)
 

Sökning: WFRF:(Duriez P) > InAs nanowire GAA n...

InAs nanowire GAA n-MOSFETs with 12-15 nm diameter

Vasen, T. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Ramvall, P. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Afzalian, A. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
visa fler...
Thelander, C. (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Dick, K. A. (författare)
Lund University,Lunds universitet,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Centrum för analys och syntes,Kemiska institutionen,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,Centre for Analysis and Synthesis,Department of Chemistry,Faculty of Engineering, LTH
Holland, M. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Doornbos, G. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Wang, S. W. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Oxland, R. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Vellianitis, G. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Van Dal, M. J H (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Duriez, B. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Ramirez, J. R. (författare)
Texas State University
Droopad, R. (författare)
Texas State University
Wernersson, L. E. (författare)
Lund University,Lunds universitet,Institutionen för elektro- och informationsteknik,Institutioner vid LTH,Lunds Tekniska Högskola,Department of Electrical and Information Technology,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Samuelson, L. (författare)
Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH
Chen, T. K. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Yeo, Y. C. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
Passlack, M. (författare)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited
visa färre...
 (creator_code:org_t)
2016
2016
Engelska.
Ingår i: 2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, VLSI Technology 2016. - 9781509006373 ; 2016-September
  • Konferensbidrag (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • InAs nanowires (NW) grown by MOCVD with diameter d as small as 10 nm and gate-All-Around (GAA) MOSFETs with d = 12-15 nm are demonstrated. Ion = 314 μA/μm, and Ssat =68 mV/dec was achieved at Vdd = 0.5 V (Ioff = 0.1 μA/μm). Highest gm measured is 2693 μS/μm. Device performance is enabled by small diameter and optimized high-k/InAs gate stack process. Device performance tradeoffs between gm, Ron, and Imin are discussed.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

kon (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy