SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Persson Axel)
 

Sökning: WFRF:(Persson Axel) > (2020-2024) > Mg-doping and free-...

Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN

Papamichail, Alexis (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT); Terahertz Materials Analysis Center - THeMAC
Kakanakova-Gueorguieva, Anelia (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Sveinbjörnsson, Einar (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,University of Iceland,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Univ Iceland, Iceland,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
visa fler...
Persson, Axel (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Tunnfilmsfysik,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Hult, Björn, 1993 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
Rorsman, Niklas, 1964 (författare)
Chalmers University of Technology,Chalmers Univ Technol, Sweden
Stanishev, Vallery (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Terahertz Materials Analysis Center - THeMAC
Le, Son Phuong (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Persson, Per O.Å. (författare)
Linköpings universitet,Linköping University
Nawaz, M. (författare)
Hitachi, Ltd.,Hitachi Energy Sweden AB
Chen, Jr-Tai (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,SweGaN AB, Olaus Magnus vag 48A, SE-58330 Linkoping, Sweden,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Paskov, Plamen (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Centre for III-nitride technology (C3NiT)
Darakchieva, V. (författare)
Linköpings universitet,Linköping University,Lund University,Lunds universitet,NanoLund: Centre for Nanoscience,Annan verksamhet, LTH,Lunds Tekniska Högskola,Fasta tillståndets fysik,Fysiska institutionen,Institutioner vid LTH,LTH profilområde: Nanovetenskap och halvledarteknologi,LTH profilområden,Other operations, LTH,Faculty of Engineering, LTH,Solid State Physics,Department of Physics,Departments at LTH,Faculty of Engineering, LTH,LTH Profile Area: Nanoscience and Semiconductor Technology,LTH Profile areas,Faculty of Engineering, LTH,Halvledarmaterial,Tekniska fakulteten,Lund Univ, Sweden,Centre for III-nitride technology (C3NiT); Terahertz Materials Analysis Center - THeMAC
visa färre...
 (creator_code:org_t)
AIP Publishing, 2022
2022
Engelska.
Ingår i: Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing. - 0021-8979 .- 1089-7550. ; 131:18
Relaterad länk:
https://research.cha... (primary) (free)
visa fler...
http://dx.doi.org/10... (free)
https://liu.diva-por... (primary) (Raw object)
https://doi.org/10.1...
https://research.cha...
https://lup.lub.lu.s...
https://urn.kb.se/re...
visa färre...
  • Tidskriftsartikel (refereegranskat)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The hot-wall metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), previously shown to enable superior III-nitride material quality and high performance devices, has been explored for Mg doping of GaN. We have investigated the Mg incorporation in a wide doping range (2.45 × 10 18 cm-3 up to 1.10 × 10 20 cm-3) and demonstrate GaN:Mg with low background impurity concentrations under optimized growth conditions. Dopant and impurity levels are discussed in view of Ga supersaturation, which provides a unified concept to explain the complexity of growth conditions impact on Mg acceptor incorporation and compensation. The results are analyzed in relation to the extended defects, revealed by scanning transmission electron microscopy, x-ray diffraction, and surface morphology, and in correlation with the electrical properties obtained by Hall effect and capacitance-voltage (C-V) measurements. This allows to establish a comprehensive picture of GaN:Mg growth by hot-wall MOCVD providing guidance for growth parameters optimization depending on the targeted application. We show that substantially lower H concentration as compared to Mg acceptors can be achieved in GaN:Mg without any in situ or post-growth annealing resulting in p-type conductivity in as-grown material. State-of-the-art p-GaN layers with a low resistivity and a high free-hole density (0.77 ω cm and 8.4 × 10 17 cm - 3, respectively) are obtained after post-growth annealing demonstrating the viability of hot-wall MOCVD for growth of power electronic device structures.

Ämnesord

NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Oorganisk kemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Inorganic Chemistry (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Kemi -- Materialkemi (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Chemical Sciences -- Materials Chemistry (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Publikations- och innehållstyp

art (ämneskategori)
ref (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy