Electroluminescence from silicon p-n junctions prepared by wafer bonding

Sveinbjörnsson, Einar,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

We report on electro- and photoluminescence from silicon p-n diodes formed by hydrophobic wafer bonding. Four main spectral features associated with the bonded interface are detected at photon energies between 0.8 and 0.9 eV. Two of these signals are identified as the dislocation-related signals D1 and D2 while two peaks at 0.83 eV and 0.89 eV remain unidentified. However, we observe a signal similar to the 0.83 eV signal in polysilicon and at the junction of a silicon bicrystal

Bengtsson, Stefan,1961Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)stefanb (författare)
Weber, J. (författare)
Keskitalo, N. (författare)
Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Ingår i:Proceedings of the Fourth International Symposium on Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology, and Applications, s. 264-

Av författaren/redakt...: Sveinbjörnsson, ...; Bengtsson, Stefa ...; Weber, J.; Keskitalo, N.

Om ämnet

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER: TEKNIK OCH TEKNO ...; och Elektroteknik oc ...; och Annan elektrotek ...

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.