Passivation of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs using Al2O3 atomic layer deposition

Schleeh, Joel,1986Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology (författare)

InGaAs/InAlAs/InP HEMTs (InP HEMTs) passivated by Al2O3 atomic layer deposition (ALD) demonstrated improved DC performance compared to Si3N4 plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD). DC measurements have been performed on 130 nm gate-length devices before and after passivation. An increase in maximum drain current density of 20% and extrinsic transconductance of 30% were observed after both ALD and PECVD device passivation. In comparison to PECVD passivated InP HEMTs, ALD passivated devices demonstrated a full suppression of a kink in the I-V characteristics associated with surface traps.

Halonen, John,1960Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)halonen (författare)
Nilsson, Bengt,1954Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)beni (författare)
Nilsson, Per-Åke,1964Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)pernilss (författare)
Zeng, Lunjie,1983Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)lunjie (författare)
P., Ramvall (författare)
Wadefalk, Niklas,1973Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)wadefalk (författare)
Zirath, Herbert,1955Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)zirath (författare)
Olsson, Eva,1960Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)f10eva (författare)
Grahn, Jan,1962Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology(Swepub:cth)jagr (författare)
Chalmers tekniska högskola (creator_code:org_t)

Ingår i:Conference Proceedings - International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, Berlin, 22-26 May 20111092-86699781457717536

Av författaren/redakt...: Schleeh, Joel, 1 ...; Halonen, John, 1 ...; Nilsson, Bengt, ...; Nilsson, Per-Åke ...; Zeng, Lunjie, 19 ...; P., Ramvall; visa fler...; Wadefalk, Niklas ...; Zirath, Herbert, ...; Olsson, Eva, 196 ...; Grahn, Jan, 1962; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.