SwePub
Sök i LIBRIS databas

  Utökad sökning

WFRF:(Wahab Q.)
 

Sökning: WFRF:(Wahab Q.) > High-Temperature El...

High-Temperature Electronic Materials: Silicon Carbide and Diamond

Willander, Magnus, 1948 (författare)
Göteborgs universitet,University of Gothenburg
Friesel, Milan, 1948 (författare)
Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
Wahab, Q.-U. (författare)
Linköpings universitet,Linköping University
visa fler...
Straumal, B. (författare)
Russian Academy of Sciences
visa färre...
 (creator_code:org_t)
Boston, MA : Springer US, 2007
2007
Engelska.
Ingår i: Springer Handbooks. - Boston, MA : Springer US. ; , s. 537-563
  • Bokkapitel (övrigt vetenskapligt/konstnärligt)
Abstract Ämnesord
Stäng  
  • The physical and chemical properties of wide-band-gap semiconductors make these materials an ideal wide bandgapsemiconductor choice for device fabrication for applications in many different areas, e.g. light emitters, high-temperature and high-power electronics, high-power microwave devices, micro-electromechanical system (MEM) technology, and substrates for semiconductor preparation. These semiconductors have micro-electromechanical system (MEMS) been recognized for several decades as being suitable for these applications, but until recently the low material quality has not allowed the fabrication of high-quality devices. In this material quality chapter, we review the wide-band-gap semiconductors, silicon carbide and diamond. Silicon carbide electronics is advancing from the research stage to commercial production. The commercial availability of single-crystal SiC substrates during the early 1990s gave rise to intense activity in the development of silicon carbide devices. The commercialization started with the release of blue light-emitting diode (LED). The recent release of high-power Schottky diodes was a further demonstration of the progress made towards defect-free SiC substrates. Diamond has superior physical and chemical properties. Silicon-carbide- and diamond-based diamondsilicon carbide (SiC) electronics are at different stages of development. The preparation of high-quality single-crystal substrates of wafer size has allowed recent significant progress in the fabrication of several types of devices, and the development has reached many important milestones. However, high-temperature studies are still scarce, and diamond-based electronics is still in its infancy.

Ämnesord

TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Materialteknik -- Textil-, gummi- och polymermaterial (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Materials Engineering -- Textile, Rubber and Polymeric Materials (hsv//eng)
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER  -- Elektroteknik och elektronik -- Annan elektroteknik och elektronik (hsv//swe)
ENGINEERING AND TECHNOLOGY  -- Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering -- Other Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering (hsv//eng)
NATURVETENSKAP  -- Fysik -- Den kondenserade materiens fysik (hsv//swe)
NATURAL SCIENCES  -- Physical Sciences -- Condensed Matter Physics (hsv//eng)

Nyckelord

Schottky Barrier Diode
Silicon Carbide
Diamond Film
Chemical Vapor Deposition Technique
Chemical Vapor Deposition Diamond

Publikations- och innehållstyp

kap (ämneskategori)
vet (ämneskategori)

Hitta via bibliotek

Till lärosätets databas

Hitta mer i SwePub

Av författaren/redakt...
Willander, Magnu ...
Friesel, Milan, ...
Wahab, Q.-U.
Straumal, B.
Om ämnet
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Materialteknik
och Textil gummi och ...
TEKNIK OCH TEKNOLOGIER
TEKNIK OCH TEKNO ...
och Elektroteknik oc ...
och Annan elektrotek ...
NATURVETENSKAP
NATURVETENSKAP
och Fysik
och Den kondenserade ...
Artiklar i publikationen
Av lärosätet
Chalmers tekniska högskola

Sök utanför SwePub

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.

 
pil uppåt Stäng

Kopiera och spara länken för att återkomma till aktuell vy