Interface defects in HfO2, LaSiOx and Gd2O3 high-k/metal gate structures on silicon: Energy distribution and passivation

Hurley, P.K. (författare)

Cherkaoui, K. (författare)

O'Connor, E (författare)

Groenland, A.W. (författare)

Lemme, M.C. (författare)

Gottlob, H.D.B. (författare)

Schmidt, M (författare)

Hall, S. (författare)

Lu, Y. (författare)

Buiu, O. (författare)

Raeissi, Bahman, 1979 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Piscator, Johan, 1977 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

Engström, Olof, 1943 (författare): Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology

(creator_code:org_t)

2007
2007
Engelska.
Ingår i: Proc. Electrochemical Society Meeting, Washington DC, October 2007.

Ämnesord

Stäng

Av författaren/redakt...: Hurley, P.K.; Cherkaoui, K.; O'Connor, E; Groenland, A.W.; Lemme, M.C.; Gottlob, H.D.B.; visa fler...; Schmidt, M; Hall, S.; Lu, Y.; Buiu, O.; Raeissi, Bahman, ...; Piscator, Johan, ...; Engström, Olof, ...; visa färre...

Om ämnet

Kungliga biblioteket hanterar dina personuppgifter i enlighet med EU:s dataskyddsförordning (2018), GDPR. Läs mer om hur det funkar här.
Så här hanterar KB dina uppgifter vid användning av denna tjänst.