Sökning: WFRF:(Gustavsson Johan 1974 ) >
High-speed 850-nm V...
High-speed 850-nm VCSELs for 40 Gb/s transmission
-
- Gustavsson, Johan, 1974 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Westbergh, Petter, 1981 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Szczerba, Krzysztof, 1985 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
visa fler...
-
- Haglund, Åsa, 1976 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Larsson, Anders, 1957 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Karlsson, Magnus, 1967 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Andrekson, Peter, 1960 (författare)
- Chalmers tekniska högskola,Chalmers University of Technology
-
- Hopfer, Friedhelm (författare)
- Technische Universität Berlin
-
- Fiol, Gerrit (författare)
- Technische Universität Berlin
-
- Bimberg, Dieter (författare)
- Technische Universität Berlin
-
- Olsson, Bengt-Erik, 1968 (författare)
- Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
-
- Kristiansson, Anna (författare)
- Telefonaktiebolaget L M Ericsson,Ericsson
-
- Healy, S. B. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
- O'Reilly, E. P. (författare)
- Tyndall National Institute at National University of Ireland, Cork
-
Joel, A. (författare)
-
visa färre...
-
(creator_code:org_t)
- SPIE, 2010
- 2010
- Engelska.
- Relaterad länk:
-
https://research.cha...
-
visa fler...
-
https://doi.org/10.1...
-
visa färre...
Abstract
Ämnesord
Stäng
- We have explored the possibility to extend the data transmission rate for standard 850-nm GaAs-based VCSELs beyond the 10 Gbit/s limit of today's commercially available directly-modulated devices. By sophisticated tailoring of the design for high-speed performance we demonstrate that 10 Gb/s is far from the upper limit. For example, the thermal conductivity of the bottom mirror is improved by the use of binary compounds, and the electrical parasitics are kept at a minimum by incorporating a large diameter double layered oxide aperture in the design. We also show that the intrinsic high speed performance is significantly improved by replacing the traditional GaAs QWs with strained InGaAs QWs in the active region. The best overall performance is achieved for a device with a 9 μm diameter oxide aperture, having in a threshold current of 0.6 mA, a maximum output power of 9 mW, a thermal resistance of 1.9 °C/mW, and a differential resistance of 80 Ω. The measured 3dB bandwidth exceeds 20 GHz, and we experimentally demonstrate that the device is capable of error-free transmission (BER
Ämnesord
- NATURVETENSKAP -- Fysik (hsv//swe)
- NATURAL SCIENCES -- Physical Sciences (hsv//eng)
Nyckelord
- Vertical cavity surface emitting laser
- Electrical parasitics
- Transmission
- Differential gain
- High speed
- Subcarrier multiplexing
Publikations- och innehållstyp
- kon (ämneskategori)
- vet (ämneskategori)
- Av författaren/redakt...
-
Gustavsson, Joha ...
-
Westbergh, Pette ...
-
Szczerba, Krzysz ...
-
Haglund, Åsa, 19 ...
-
Larsson, Anders, ...
-
Karlsson, Magnus ...
-
visa fler...
-
Andrekson, Peter ...
-
Hopfer, Friedhel ...
-
Fiol, Gerrit
-
Bimberg, Dieter
-
Olsson, Bengt-Er ...
-
Kristiansson, An ...
-
Healy, S. B.
-
O'Reilly, E. P.
-
Joel, A.
-
visa färre...
- Om ämnet
-
- NATURVETENSKAP
-
NATURVETENSKAP
-
och Fysik
- Av lärosätet
-
Chalmers tekniska högskola